新潔能是國內領先的功率半導體設計企業，主營MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售。公司擁有溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET、超結MOSFET、IGBT四大產品平臺，覆蓋12V-1350V電壓/0.1A-350A電流范圍1300多種產品，在產品性能和規格數量上國內領先，并且已在12英寸芯片工藝平臺實現量產，成為國內8/12英寸芯片工藝平臺投片量最大的半導體功率器件設計公司之一，也是我國MOSFET系列產品最齊全的廠商之一。公司產品廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、物聯網、新能源汽車/充電樁、光伏新能源和智能裝備制造等領域。

功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電壓和頻率，或將直流轉換為交流，交流轉換為直流等的電力轉換。從下游需求來看，消費電子、新能源發電、新能源汽車等市場需求旺盛，疊加行業產能錯配，行業景氣再次上升。MOSFET、IGBT市場的主要份額仍被英飛凌等海外廠商占據，國產替代空間廣闊。未來，隨著國內功率半導體逐步突破高端產品的技術瓶頸，我國功率半導體對進口的依賴將會進一步減弱，國產替代效應將持續顯現。

公司采用Fabless生產模式，晶圓代工和封測供應商包括華虹宏力、華潤上華、長電科技等;其中，公司作為華虹宏力最大投片量半導體功率器件客戶。自2018年下半年開始，公司開始自建封裝產線。公司產品銷售主要采用直銷與經銷結合的模式，終端客戶包括海爾、富士康、三星、中興通訊、寧德時代、飛利浦照明、TP-LINK、長城汽車等知名廠商，品牌實力突出。功率器件對可靠性要求較高，客戶一經認證且規模化使用后不會輕易替換，當前終端企業正逐漸放開國產功率器件認證，公司將暢享行業快速發展紅利。

目前MOSFET等功率半導體主流晶圓尺寸為8英寸。8寸晶圓代工產能供不應求，MOSFET產能受限。多種需求因素疊加下，晶圓代工產能利用率從2020年二季度末開始逐漸提升至滿產，而其中MOSFET主要使用的8寸晶圓代工產能緊缺現象尤其嚴重，引發全球半導體市場出現交期拉長和普遍漲價現象。公司在國內率先開發了基于12英寸芯片低導通電阻工藝平臺，中低壓SGTMOS平臺在12英寸芯片產線實現量產。公司的12英寸芯片自2020年四季度起進行規模投產，2020年12英寸芯片實現回片1.32萬余片，預計2021年12英寸回片量將大幅增加，全年產能增長帶來的營收貢獻約為30%-40%。

IGBT國產替代趨勢明確，公司IGBT收入預計大幅增長。目前國內IGBT市場，特別是快速增長的新能源車用IGBT市場主要由海外供應商如英飛凌、意法半導體等壟斷。公司部分IGBT產品的參數性能及送樣表現與國外一線品牌同類產品基本相當，具有較強的進口替代優勢。IGBT是公司目前重點的深化方向，2021年收入有望取得大幅增長。

在MOSFET和IGBT基礎上，公司前瞻布局第三代半導體功率器件。目前已選定代工合作伙伴，1200V新能源汽車用SiCMOSFET和650VPD電源用GaNHEMT正在積極研發中。公司募投項目計劃投資1.14億元進行碳化硅功率器件的產業化，有望提前卡位，受益于碳化硅市場爆發的紅利。

國金證券表示，公司上市之后估值波動較大，大部分時間在77-130倍PE之間波動。預計公司2021-2023年歸母凈利潤分別為3.1億元、3.8億元和4.1億元。考慮到公司未來兩年由于產能提升、價格上漲、屏蔽柵和超結MOSFET以及IGBT上量帶來的業績高確定性增長，參考行業平均估值，給予公司2022年60倍目標PE值，對應目標價160元/股，給予“買入”評級。

華創證券表示，公司作為業內最早布局MOS業務的廠商，技術實力、產品結構、客戶結構顯著領先競爭對手，重點需求領域亦有望持續突破，代工公司高端器件產品放量，在目前功率半導體景氣度周期向上的背景下，公司行業議價力持續增強，帶動公司盈利能力不斷提升。預計公司2021-2023年EPS分別為3.48元、4.61元和5.71元。結合行業平均估值水平及公司自身所處發展階段，給予公司2021年60倍PE估值，對應目標價208.8元/股，維持“強推”評級。

記者 劉希瑋