自Wolfpseed在2011年推出業內首款SiCMOSFET以來，過去十年受限于SiC電力電子器件價格、晶圓質量、工藝技術等限制，始終沒有被下游大規模廣泛使用。當前在技術層面，SiC襯底位錯密度下降，SiC功率晶體設計不斷迭代，產品性能，可靠性持續提升;主流晶圓尺寸由4英寸向6英寸過渡，領先廠商已經在大力擴產8英寸，主流產品從SiC二極管轉變為SiCMOSFET。

成本層面，SiC電力電子器件價格進一步下降，根據CASA、Mouser，從公開報價來看，1200VSiCSBD與同類Si器件的差距約4.5倍。根據CASA調研，1200VSiCSBD實際成交價與Si器件價差已縮小至2-2.5倍之間，已經達到了甜蜜點。若考慮系統成本(周邊的散熱、基板等)和能耗等因素，SiC產品已經具備一定競爭力，隨著產業鏈技術更加成熟和產能不斷擴充，未來在下游新能源汽車、光伏逆變、消費類電子等市場應用有望加速滲透。

新能源汽車高速發展，成為SiC電力電子器件需求快速增長的重要驅動力。SiC功率器件已經歷從PFC電源到光伏的應用發展，未來十年新能源汽車、充電設施、軌道交通等將是主要推動力。

根據Yole，到2025年新能源汽車用SiC功率器件市場規模將達到15.5億美元，2019-2025年 CA-GR38%，充電樁增速更是高達90%。特斯拉Model3和國內比亞迪漢率先在電機控制器中應用SiC模塊。對新能源車用SiC需求規模彈性進行測算，預計2025年僅逆變器對SiC需求就有望打造59億美元-65億美元市場，車用SiC即將開啟黃金十年。

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國內SiC產業鏈布局如火如荼，鳳凰光學近期公告擬通過定增收購國盛電子和普興電子100%股權。國盛電子及普興電子是國內領先的硅外延材料供應商，碳化硅外延材料也已具備量產能力。目前SiC產業鏈中重要的襯底環節，除了三安光電深度布局，天科合達和山東天岳已在全球范圍內占據一定份額。 國盛證券