拓荊科技:國產薄膜沉積設備龍頭成長動力充足
拓荊科技(688072)是本土半導體薄膜沉積設備龍頭,產品覆蓋等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備和原子層沉積(ALD)設備,其中PECVD和SACVD是國內唯一一家產業化應用企業,打破了國外廠商在國內的壟斷,相關產品成功供貨中芯國際、華虹集團、長江存儲等主流客戶。2022年1-5月,拓荊科技在國內薄膜沉積設備中標份額快速上升到14%,領先于其他國內廠商。近年公司業績實現快速增長,2018-2021年公司營業收入CAGR為121%,2021-2022年一季度毛利率分別為44.01%和47.44%,增幅明顯,且存在較大提升空間。公司在手訂單充裕,未來成長性與確定性兼備。
薄膜沉積設備市場空間大,需求強勁。半導體行業景氣帶動設備穩定增長,薄膜沉積是關鍵設備,市場規模占半導體設備的20%。根據Maximize Market Research數據統計,2021年全球薄膜沉積設備市場規模為190億美元,同比+10.5%,預計2025年有望達到340億美元,2021-2025年CAGR達15.7%。行業基本由應用材料(AMAT)、先晶半導體(ASMI)、泛林半導體(LAM)、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷,國產替代空間較大。未來隨著晶圓廠擴產帶動設備需求、芯片制程升級,薄膜沉積設備需求量增加、國產替代,國內薄膜沉積設備廠商將迎來黃金發展機遇。
公司技術實力強大,具備稀缺性,客戶資源優質,成長動力充足。公司重視研發,高研發投入,掌握核心技術,公司產品總體性能和關鍵性能參數已達到國際同類設備水平。公司在穩固PECVD市場競爭力的同時,SACVD&ALD也持續取得產業化突破,成長空間不斷打開。(1)PECVD設備:公司核心產品,在國內市占率依然較低,公司PECVD已全面覆蓋邏輯、DRAM存儲、FLASH閃存各技術節點通用介質薄膜,并在14nm及10nm以下制程積極配合客戶產業驗證,隨著客戶驗證順利推進,有望延續高速增長;(2)SACVD設備:適用于45-10nm溝槽填充,先進制程下滲透率存在提升趨勢,公司產品體系不斷完善,2020年以來客戶驗證機臺快速增加,有望進入放量階段;(3)ALD設備:膜厚精準可控,臺階覆蓋率極高,技術優勢突出,公司率先實現PE-ALD產業化,同時布局Thermal-ALD,IPO募投項目將助力大規模產業化進程。
進軍先進制程,公司逐步成長為薄膜沉積平臺型公司。公司IPO募集資金將投資于高端半導體設備擴產項目、先進半導體設備的技術研發與改進項目、ALD設備研發與產業化項目。截至2021年9月,公司在國內外和其他地區已授權專利共計169件,核心技術有8項,其中大部分專利和核心技術可以在PECVD、ALD、SACVD這三種產品上適用。公司募投項目的投資建設將進一步增強公司在先進制程薄膜沉積設備的實力。
東吳證券表示,公司在集成電路PECVD和SACVD領域先發優勢明顯,ALD設備同樣是國內領先,有望充分受益于本土晶圓廠擴產浪潮。預計2022-2024年公司營業收入分別為12.64億元、18.61億元和25.78億元。公司PECVD稀缺性顯著,疊加SACVD&ALD放量,成長性突出,首次覆蓋,給予“買入”評級。
華創證券表示,全球半導體設備市場持續高景氣,公司顯著受益于薄膜沉積設備需求增長,充分受益于國產替代機遇。預測2022-2024年公司營業收入分別為15.0億元、21.9億元、30.3億元,結合公司所處百億賽道市場空間、行業平均估值水平以及更純正的半導體業務結構,給予2022年15倍PS估值,對應目標價為178.1元/股,首次覆蓋給予“強推”評級。記者 劉希瑋
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