周一，存儲芯片板塊成為A股市場的核心主線，表現(xiàn)明顯強于大盤。根據(jù)Wind數(shù)據(jù)統(tǒng)計，當(dāng)日存儲芯片板塊平均漲幅達4.63%。截至收盤，板塊內(nèi)47只成份股中有39只上漲，占比超過80%。其中，有10只個股漲幅超過10%，4只漲停。此外，長江存儲指數(shù)收報7219.55點，單日上漲3.98%，成交額達3358.74億元，創(chuàng)年內(nèi)次高；板塊整體成交額占滬深兩市總成交額的14.2%，資金關(guān)注度顯著提升。

從市場結(jié)構(gòu)看，存儲芯片板塊呈現(xiàn)“全產(chǎn)業(yè)鏈普漲、細(xì)分龍頭領(lǐng)漲”特征。其中，上游設(shè)備材料企業(yè)晶瑞電材上漲16.50%、江豐電子上漲5.67%；中游設(shè)計制造企業(yè)江波龍上漲19.82%，股價創(chuàng)歷史新高；下游封測企業(yè)深科技上漲1.55%、通富微電上漲4.92%。

從消息面來看，自2025年9月開始，各大存儲原廠開始漲價，閃迪打響漲價第一槍。9月4日，閃迪宣布將面向所有渠道和消費者客戶的產(chǎn)品價格上調(diào)10%以上；此后，美光、三星、西部數(shù)據(jù)等巨頭相繼跟進。10月23日，三星、SK海力士同步通知客戶，四季度DRAM和NAND合同價格將上調(diào)20%—30%，其中，DDR4漲幅達30%，企業(yè)級SSD漲幅為25%，為2017年以來最大單季度提價幅度。

CFM閃存市場報價顯示，10月17日FlashWafer價格全面上調(diào)，其中1TbQLC漲幅為9.09%，1TbTLC漲幅為8.06%，512GbTLC漲幅為10.53%，256GbTLC漲幅為6.25%。

從應(yīng)用端來看，AI推理應(yīng)用快速推升實時存取、高速處理海量數(shù)據(jù)的需求，促使機械硬盤（HDD）與固態(tài)硬盤（SSD）供應(yīng)商積極擴大供給大容量存儲產(chǎn)品。由于全球主要HDD制造商近年未規(guī)劃擴大產(chǎn)線，無法及時滿足AI刺激的突發(fā)性、巨量存儲需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢，目前NL HDD（近線硬盤）交期已從原本的數(shù)周，急劇延長為52周以上，加速擴大CSP的儲存缺口。根據(jù)CFM閃存市場，北美市場因面向數(shù)據(jù)中心的HDD供應(yīng)緊缺，部分北美客戶將采購需求轉(zhuǎn)至企業(yè)級存儲，服務(wù)器NAND市場需求明顯增加。

機構(gòu)預(yù)測，AI服務(wù)器存儲芯片需求將從2025年的450億美元增至2026年的780億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）達73%；疊加消費電子復(fù)蘇（2025年全球智能手機出貨量預(yù)計回升至13億部），存儲芯片行業(yè)景氣度將持續(xù)向上。東莞證券指出，存儲產(chǎn)業(yè)鏈“量價齊升”邏輯明確。

隨著存儲芯片板塊的超預(yù)期表現(xiàn)，多家上市公司在互動易平臺披露相關(guān)信息。其中，深科技10月27日在投資者互動平臺表示，作為國內(nèi)高端存儲芯片封測的龍頭企業(yè)，公司擁有行業(yè)經(jīng)驗豐富的研發(fā)和工程團隊，具備精湛的多層堆疊封裝工藝能力和測試軟件開發(fā)能力。公司密切關(guān)注行業(yè)發(fā)展動態(tài)和前沿技術(shù)的發(fā)展趨勢。

成都華微于10月27日在投資者互動平臺表示，公司專注于Norflash及EEPROM存儲器的研制，在環(huán)境適應(yīng)性等方面具有顯著優(yōu)勢。公司Norflash存儲器既可用于FPGA配置存儲器，提供完整的可編程解決方案，亦可獨立用于數(shù)據(jù)存儲場景，已形成大、中、小容量三個系列產(chǎn)品，覆蓋512Kbit—1Gbit等容量類型，所有產(chǎn)品已進入批量供貨階段。

石英股份亦在互動平臺表示，公司用自產(chǎn)高純石英砂生產(chǎn)的半導(dǎo)體擴散領(lǐng)域用爐管系列石英材料，近期已在國內(nèi)頭部存儲晶圓制造企業(yè)順利完成12英寸晶圓制造的全部工藝測試，并憑借卓越的性能成功通過認(rèn)證。記者 劉揚