第三代半導體研發加速
本報綜合消息 北京市副市長、秘書長靳偉20日表示，在補足短板方面，著力攻克重要領域關鍵的核心技術。
一是推動集成電路產研一體突破。
二是開展關鍵新材料的技術攻關，加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程。
三是聚焦通用型的關鍵零部件，研發突破部分儀器的關鍵零部件。
四是推動高端儀器設備研發實現突破，支持形成一批服務于重大的科技基礎設施的定制化的科學儀器和設備。
編輯：gifberg
- 免責聲明：本文內容與數據僅供參考，不構成投資建議。據此操作，風險自擔。
- 版權聲明：凡文章來源為“大眾證券報”的稿件，均為大眾證券報獨家版權所有，未經許可不得轉載或鏡像；授權轉載必須注明來源為“大眾證券報”。
- 廣告/合作熱線：025-86256149
- 舉報/服務熱線：025-86256144
